型号：VB10150C
厂商：VISHAY[Vishay Siliconix]
大小：161.64 Kbytes
页数：共5页
功能：High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
大小：723.43 Kbytes
页数：共6页
功能：Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
大小：168.07 Kbytes
功能：High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A
型号：VB10150C-E3/4W
大小：168.31 Kbytes
型号：VB10150C-E3/8W
型号：VB10150C-E3-4W
型号：VB10150C-E3-8W
型号：VB10150C-M3
大小：88.55 Kbytes
页数：共4页
功能：Trench MOS Schottky technology
型号：VB10150C-M3/4W
厂商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
大小：96.58 Kbytes
功能：DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-263AB
型号：VB10150C-M3/8W
型号：VB10150C-M3_15
大小：78.61 Kbytes
