型号：VB20120C
厂商：VISHAY[Vishay Siliconix]
大小：167.06 Kbytes
页数：共5页
功能：Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
型号：VB20120C-E3
大小：161.84 Kbytes
功能：Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
型号：VB20120C-E3/4W
大小：163.15 Kbytes
功能：Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
型号：VB20120C-E3/8W
型号：VB20120C-M3
大小：89.62 Kbytes
页数：共4页
功能：Trench MOS Schottky technology
型号：VB20120C-M3/4W
厂商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
大小：97.55 Kbytes
功能：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB
型号：VB20120C-M3/8W
型号：VB20120C-M3_15
大小：79.52 Kbytes
