型号：VB30100C
厂商：VISHAY[Vishay Siliconix]
大小：167.4 Kbytes
页数：共5页
功能：Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A
大小：165.17 Kbytes
功能：Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
型号：VB30100C-E3
大小：152.56 Kbytes
功能：Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
大小：178.93 Kbytes
页数：共6页
功能：Trench MOS Schottky technology
型号：VB30100C-E3/4W
大小：163.53 Kbytes
型号：VB30100C-E3/8W
型号：VB30100CHM3
大小：90.88 Kbytes
型号：VB30100C-M3
型号：VB30100C-M3/4W
厂商：Vishay Semiconductor Diodes Division
大小：97.33 Kbytes
页数：共4页
功能：DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB
型号：VB30100C-M3/8W
厂商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
型号：VB30100C-M3_15
大小：78.99 Kbytes
