型号：VB30120C-E3

厂商：VISHAY[Vishay Siliconix]

大小：157.09 Kbytes

页数：共6页

功能：Trench MOS Schottky technology

型号：VB30120C-E3/4W

厂商：VISHAY[Vishay Siliconix]

大小：168.11 Kbytes

页数：共5页

功能：Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

型号：VB30120C-E3/4W

厂商：VISHAY[Vishay Siliconix]

大小：163.22 Kbytes

页数：共5页

功能：Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

型号：VB30120C-E3/8W

厂商：VISHAY[Vishay Siliconix]

大小：168.11 Kbytes

页数：共5页

功能：Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

型号：VB30120C-E3/8W

厂商：VISHAY[Vishay Siliconix]

大小：163.22 Kbytes

页数：共5页

功能：Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier