型号: 150-501N04A-00
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-150 500V 4A N Channel MOSFET Transistor
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 4.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
输出功率: 200 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMD-6
封装: Tube
工作频率: 100 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 1.9 S
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
Qg-栅极电荷: 14 nC
工厂包装数量: 40
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：陈先生
Q Q:
联系人：谭显军
电话：18911733410
Q Q:
