型号: 15C01C-TB-E
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
封装/外壳: SMCP
封装/外壳: Reel
功率耗散: 300 mW
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 700mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 15V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 300mV @ 10mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 300 @ 10mA，2V
功率 - 最大值: 300mW
频率 - 跃迁: 330MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: 3-CP
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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Q Q:
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