型号: 18N10W
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.9V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：47W(Tc) 类型：N沟道
制造商: GOFORD(谷峰)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 18A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.9V @ 250uA
漏源导通电阻: 50mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 47W(Tc)
类型: N沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：吴新
Q Q:
联系人：谢小姐
电话：19849363771
Q Q:
联系人：雷先生
电话：19230195608
Q Q:
联系人：杨德龙
电话：15817289960
Q Q:
