型号: 1M110ZHB0G
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）: 110V
偏差: ±5%
功率 - 最大值: 1W
阻抗（最大值）（Zzt）: 450 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流: 5µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr: 83.6V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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