型号: 1M130Z R1G
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）: 130V
偏差: ±5%
功率 - 最大值: 1W
阻抗（最大值）（Zzt）: 700 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流: 5µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr: 98.8V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13417122760
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：苏松冲
电话：15999626321
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联系人：苏先生
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联系人：谢小姐
电话：13088842066
Q Q:
