型号: 1M150Z R0G
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 150V
偏差: ±5%
功率 - 最大值: 1W
阻抗(最大值)(Zzt): 1000 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流: 5µA
电压,耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr: 114V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装: DO-204AL(DO-41)
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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