型号: 1N4700
功能描述: Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
制造商: Fairchild Semiconductor
齐纳电压: 13 V
电压容差: 5 %
齐纳电流: 19 mA
功率耗散: 500 mW
最大反向漏泄电流: 0.05 uA
最大工作温度: + 200 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: DO-35
最小工作温度: - 65 C
电压调节准确度: 130 mV
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