型号: 1N4757G R0G
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）: 51V
偏差: ±5%
功率 - 最大值: 1W
阻抗（最大值）（Zzt）: 95 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流: 5µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr: 38.8V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf: 1.2V
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If: 200mA
工作温度: -65°C ~ 200°C（TA）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：杨丹妮
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Q Q:
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