型号: 1N5225B A0G
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）: 3V
偏差: ±5%
功率 - 最大值: 500mW
阻抗（最大值）（Zzt）: 29 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流: 50µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr: 1V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf: 1.1V
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If: 200mA
工作温度: 100°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：马信洪
电话：15889772787
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：李太
电话：13537589664
Q Q:
联系人：吴小姐，李先生
电话："13715248127" "13728936238"
Q Q:
联系人：段小姐
电话：13538205717
Q Q:
