型号: 1N5229B A0G
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）: 4.3V
偏差: ±5%
功率 - 最大值: 500mW
阻抗（最大值）（Zzt）: 22 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流: 5µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr: 1V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf: 1.1V
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If: 200mA
工作温度: 100°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李
电话：18218171380
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：陈生
电话：13537702078
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13824365757
Q Q:
联系人：林丽
Q Q:
