型号: 1N5256B A0G
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）: 30V
偏差: ±5%
功率 - 最大值: 500mW
阻抗（最大值）（Zzt）: 49 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流: 100nA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr: 23V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf: 1.1V
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If: 200mA
工作温度: 100°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13823793399
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：黄先生
电话：13923864315
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联系人：肖小姐
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联系人：游倾顷
电话：18948707085
Q Q:
