型号: 1N65G
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
制造商: UMW(友台半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 11Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: -
类型: N沟道
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