型号: 1N757ATR_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
齐纳电压: 9.1 V
电压容差: 5 %
齐纳电流: 40 mA
功率耗散: 500 mW
最大反向漏泄电流: 0.1 uA
最大齐纳阻抗: 10 Ohms
最大工作温度: + 200 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: DO-35
封装: Reel
最小工作温度: - 65 C
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Q Q:
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