型号: 20N03
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 21.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.25W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 21.8A
栅源极阈值电压: 2V @ 250uA
漏源导通电阻: 7mΩ @ 21.8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.25W
类型: N沟道
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