型号: 25N06G
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：36mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
制造商: PINGWEI(平伟)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 25A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 36mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 50W(Tc)
类型: N沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：龙小平,朱先生
电话：19868271275
Q Q:
联系人：韩
Q Q:
联系人：高R
电话：15112166916
Q Q:
