型号: 2DB1386Q
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
配置: Single
晶体管极性: PNP
集电极—基极电压 VCBO: 30 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
最大直流电集电极电流: 5 A
增益带宽产品fT: 100 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-4
商标: Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min: 120 at 0.5 A at 2 V
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1000 mW
系列: 2DB1386
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：王小飞
电话：18768342458
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13543297313
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联系人：昂捷
Q Q:
