型号: 2DD2150R
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—基极电压 VCBO: 40 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
最大直流电集电极电流: 3 A
增益带宽产品fT: 160 MHz (Typ)
最大工作温度: + 150 C
商标: NXP Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min: 180 at 100 mA at 2 V
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1000 mW
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