型号: 2N2222AHR
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Rad-Resistant NPN Bipolar Transistor 40V - 0.8A
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—基极电压 VCBO: 75 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
最大直流电集电极电流: 0.8 A
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-18
商标: STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min: 35 at 0.1 A at 10 V, 75 at 10 mA at 10 V, 100 at 150 mA at 10 V, 40 at 500 mA at 10 V
直流电流增益 hFE 最大值: 35 at 0.1 mA at 10 V
最小工作温度: - 65 C
Pd-功率耗散: 500 mW
系列: 2N2222A
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