型号: 2N3019JX
功能描述: Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-5
制造商: Semicoa Semiconductors
集电极最大直流电流： 1
最小直流电流增益： 100@150mA@10V|50@1mA@10V|90@10mA@...
欧盟RoHS指令： Not Compliant
最高工作温度： 200
标准包装名称： TO-205-AA
最低工作温度： -65
最大功率耗散： 800
最大基地发射极电压： 7
每个芯片的元件数： 1
最大集电极基极电压： 140
供应商封装形式： TO-5
筛选等级： Military
最大集电极发射极电压： 80
类型： NPN
引脚数： 3
铅形状： Through Hole
集电极电流（ DC）（最大值）： 1 A
集电极 - 基极电压： 140 V
集电极 - 发射极电压： 80 V
发射极 - 基极电压： 7 V
功率耗散： 0.8 W
安装： Through Hole
工作温度范围： -65C to 200C
包装类型： TO-5
元件数： 1
工作温度分类： Military
弧度硬化： Yes
晶体管极性： NPN
直流电流增益： 100
集电极电流（DC ）： 1 A
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