型号: 2N3585
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Power
制造商: Central Semiconductor
制造商: Central Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-66-2
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 300 V
集电极—基极电压 VCBO: 500 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 750 mV
最大直流电集电极电流: 2 A
增益带宽产品fT: 10 MHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
系列: 2N3585
封装: Tube
商标: Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min: 25 at 1 A, 10 V
Pd-功率耗散: 35 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
零件号别名: 2N3585 PBFREE
单位重量: 5.840 g
联系人：肖瑶，树平
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联系人：Alien
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