型号:  2N3766

功能描述:   Trans GP BJT NPN 60V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-66

制造商:  microsemi

包装：  3TO-66

类型：  NPN

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  60 V

集电极最大直流电流：  4 A

最小直流电流增益：  30@50mA@5V|40@500mA@5V|20@1A@10V

最大集电极发射极饱和电压：  2.5@0.1A@1A|1@0.05A@0.5A V

最大集电极基极电压：  80 V

工作温度：  -65 to 200 °C

最大功率耗散：  25000 mW

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk

集电极最大直流电流：  4

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最高工作温度：  200

标准包装名称：  TO-213-AA

最低工作温度：  -65

最大功率耗散：  25000

最大基地发射极电压：  6

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  80

供应商封装形式：  TO-66

最大集电极发射极电压：  60

集电极电流（ DC）（最大值）：  4 A

集电极 - 基极电压：  80 V

集电极 - 发射极电压：  60 V

发射极 - 基极电压：  6 V

功率耗散：  25 W

工作温度范围：  -65C to 200C

包装类型：  TO-66

元件数：  1

直流电流增益（最小值）：  30

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No

晶体管极性：  NPN

集电极电流（DC ）：  4 A

直流电流增益：  30