型号:  2N3811

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60Vcbo 60Vces 5.0Vebo 50mA 500mW

制造商:  Central Semiconductor

制造商:  Central Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-78-6

晶体管极性:  PNP

配置:  Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:  60 V

集电极—基极电压 VCBO:  60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

集电极—射极饱和电压:  0.25 V

增益带宽产品fT:  500 MHz

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 200 C

系列:  2N3811

直流电流增益 hFE 最大值:  900 at 1 mA, 5 V

封装:  Bulk

商标:  Central Semiconductor

集电极连续电流:  50 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:  75 at 1 uA, 5 V

Pd-功率耗散:  600 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  100

子类别:  Transistors

零件号别名:  2N3811 PBFREE