型号: 2N3822
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型: N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）: 50V
漏源电压（Vdss）: 50V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）: 10mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）: 6V @ 500pA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 6pF @ 15V
功率 - 最大值: 300mW
工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-206AF，TO-72-4 金属罐
供应商器件封装: TO-72
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
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