型号:  2N4033UB

功能描述:   Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin UB

制造商:  microsemi

包装：  3UB

类型：  PNP

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  80 V

集电极最大直流电流：  1 A

最小直流电流增益：  50@0.1mA@5V|100@100mA@5V|70@500mA@5V|25@1A@5V

最大集电极发射极饱和电压：  0.15@15mA@150mA|0.5@50mA@500mA|1@100mA@1A V

工作温度：  -65 to 200 °C

最大功率耗散：  500 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  DIE

集电极最大直流电流：  1

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最高工作温度：  200

最大集电极基极电压：  80

最低工作温度：  -65

包装高度：  1.42(Max)

最大功率耗散：  500

最大基地发射极电压：  5

PCB：  3

每个芯片的元件数：  1

包装宽度：  2.74(Max)

供应商封装形式：  UB

包装长度：  3.25(Max)

最大集电极发射极电压：  80

集电极电流（DC ）：  1 A

集电极 - 基极电压：  80 V

集电极 - 发射极电压：  80 V

发射极 - 基极电压：  5 V

功率耗散：  0.5 W

工作温度范围：  -65C to 200C

包装类型：  UB

元件数：  1

直流电流增益：  50

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No

晶体管极性：  PNP