型号: 2N4123
功能描述: General Purpose Transistors(NPN Silicon)
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 50
配置: Single
最大工作频率: 250 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92
集电极连续电流: 0.2 A
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 625 mW
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Q Q:
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