型号:  2N4126 TRE

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 200mA 625mW

制造商:  Central Semiconductor

制造商:  Central Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-92-3

晶体管极性:  PNP

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  25 V

集电极—基极电压 VCBO:  25 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  4 V

集电极—射极饱和电压:  0.4 V

增益带宽产品fT:  250 MHz

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  2N4126E

直流电流增益 hFE 最大值:  360 at 2 mA, 1 V

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  Central Semiconductor

集电极连续电流:  200 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:  60 at 50 mA, 1 V

Pd-功率耗散:  1.5 W

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  2000

子类别:  Transistors

零件号别名:  2N4126 PBFREE TRE