型号: 2N4209
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 15V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 150mV @ 100µA，1mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 50 @ 10mA，300mV
功率 - 最大值: 300mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装: TO-18
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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