型号: 2N4339-E3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 200
类别： 分立半导体产品
家庭： JFET（结点场效应
系列： -
包装： 散装
FET 类型： N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： 50V
漏源极电压（Vdss）： -
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 500µA @ 15V
漏极电流（Id） - 最大值： -
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 600mV @ 100nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 7pF @ 15V
电阻 - RDS（开）： -
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装： TO-206AA（TO-18）
功率 - 最大值： 300mW
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
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联系人：李先生
电话：17080955875
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联系人：陈晓玲
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联系人：陈敏
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