型号:  2N4923G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:  600mV @ 100mA，1A

电流-集电极截止（最大值）:  500µA

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:  30 @ 500mA，1V

功率-最大值:  30W

频率-跃迁:  3MHz

工作温度:  -65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:  通孔

封装/外壳:  TO-225AA

封装形式Package:  TO-225

极性Polarity:  NPN

集电极最大允许电流Ic:  1A

集电极_发射极击穿电压VCEO:  80V

3 MHz:  增益带宽积 fT

最高工作温度:  + 150 C

安装风格:  Through Hole

封装/外壳:  TO-225-3

系列:  2N4923

品牌:  ON Semiconductor

连续集电极电流:  3 A

40:  直流集电极/增益 hfe 最小值

最大功率消耗:  30 W

RoHS:  符合 RoHS

最低工作温度:  - 65 C

标准包装数量:  500

配置:  Single

晶体管极性:  NPN

集电极-基极电压VCBO:  80 V

发射机-基极电压VEBO:  5 V

集电极-发射极饱和电压:  0.6 V

集电极最大直流电流:  1 A

无铅情况/RoHs:  无铅/符合RoHs