型号: 2N5012
功能描述: NPN SILICON TRANSISTOR
制造商: Microsemi Corporation
包装: 散装
系列: -
零件状态: 停產
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 700V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）: 700V
电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 30 @ 25mA，10V
功率 - 最大值: 1W
频率 - 跃迁: -
工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-205AA，TO-5-3 金属罐
供应商器件封装: TO-5
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