型号: 2N5089TAR_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 25 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 4.5 V
最大直流电集电极电流: 0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 400 at 10 uA at 5 V
配置: Single
最大工作频率: 50 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92
封装: Ammo
集电极连续电流: 0.1 A
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 625 mW
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：唐伟,吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：张
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Q Q:
联系人：叶小姐
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Q Q:
联系人：朱先生
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联系人：庄文杰
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联系人：吴雅文
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联系人：张翃鹏
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