型号: 2N5114
功能描述: JFET JFET P-Channel -40V 50mA 500mW 3mW
制造商: InterFET
制造商: InterFET
产品种类: JFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-18-3
晶体管极性: P-Channel
配置: Single
Vds-漏源极击穿电压: - 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Vgs=0时的漏-源电流: - 90 mA
Id-连续漏极电流: - 15 mA
Rds On-漏源导通电阻: 75 Ohms
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
系列: 2N51
封装: Bulk
类型: JFET
商标: InterFET
闸/源截止电压: 10 V
工厂包装数量: 1
零件号别名: IFN5114
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