型号: 2N5115E3
功能描述: JFET
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: JFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-18-3
晶体管极性: P-Channel
配置: Single
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Vgs=0时的漏-源电流: - 15 mA to - 60 mA
Rds On-漏源导通电阻: 100 Ohms
Pd-功率耗散: 500 mW
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
封装: Bulk
商标: Microchip / Microsemi
闸/源截止电压: 3 V to 6 V
最大漏极/栅极电压: 30 V
产品类型: JFETs
工厂包装数量: 1
子类别: Transistors
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