型号: 2N5210RLRA
功能描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
制造商: ON Semiconductor
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 4 V
最大直流电集电极电流: 0.05 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200 at 100 uA at 5 V
配置: Single
最大工作频率: 30 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3 (TO-226)
封装: Reel
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 350 mW
工厂包装数量: 2000
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
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Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
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