型号: 2N5415S
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 否
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-39-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 200 V
集电极—基极电压 VCBO: 200 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
最大直流电集电极电流: 1 A
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
直流电流增益 hFE 最大值: 120 at 50 mA, 10 V
封装: Bulk
商标: Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min: 30 at 50 mA, 10 V
Pd-功率耗散: 750 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: Transistors
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