型号: 2N5457_D75Z
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装： 2,000
类别： 分立半导体产品
家庭： JFET（结点场效应
系列： -
包装： 带盒（TB）
FET 类型： N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： 25V
漏源极电压（Vdss）： -
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 1mA @ 15V
漏极电流（Id） - 最大值： -
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 500mV @ 10nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 7pF @ 15V
电阻 - RDS（开）： -
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装： TO-92-3
功率 - 最大值： 625mW
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：曹鑫
电话：13682535788
Q Q:
联系人：张泽冬
电话：13570887584
Q Q:
联系人：张晓杰
电话：13643004246
Q Q:
