型号: 2N5461G
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： JFET（结点场效应
系列： -
包装： 散装
FET 类型： P 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： 40V
漏源极电压（Vdss）： -
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 2mA @ 15V
漏极电流（Id） - 最大值： -
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 1V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 7pF @ 15V
电阻 - RDS（开）： -
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体
供应商器件封装： TO-92-3
功率 - 最大值： 350mW
其它名称： 2N5461GOS
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