型号:  2N5550TA

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-92-3 Kinked Lead

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  140 V

集电极—基极电压 VCBO:  160 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  6 V

集电极—射极饱和电压:  0.25 V

最大直流电集电极电流:  0.6 A

增益带宽产品fT:  300 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  2N5550

直流电流增益 hFE 最大值:  250

高度:  4.7 mm

长度:  4.7 mm

封装:  Ammo Pack

宽度:  3.93 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:  0.6 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  60

Pd-功率耗散:  625 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  2000

子类别:  Transistors

单位重量:  240 mg