型号: 2N5551TAR_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 160 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
最大直流电集电极电流: 0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80 at 1 mA at 5 V
配置: Single
最大工作频率: 300 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92
封装: Ammo
集电极连续电流: 0.6 A
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 625 mW
联系人：马信洪
电话：15889772787
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：赵小姐
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Q Q:
联系人：张
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联系人：廖先生
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联系人：陈先生
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Q Q:
联系人：陈
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Q Q:
联系人：林启旭
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联系人：王生
Q Q:
联系人：秦，林
电话：18682115725
Q Q:
