型号: 2N5639RLRAG
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： JFET（结点场效应
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： 35V
漏源极电压（Vdss）： 30V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 25mA @ 20V
漏极电流（Id） - 最大值： -
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 10pF @ 12V（VGS）
电阻 - RDS（开）： 60 欧姆
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装： TO-92-3
功率 - 最大值： 310mW
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