型号: 2N5822
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 70Vcbo 70Vces 60Vceo 5.0V 750mA 625wW
制造商: Central Semiconductor
制造商: Central Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V
集电极—基极电压 VCBO: 70 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 0.75 V
最大直流电集电极电流: 750 mA
增益带宽产品fT: 120 MHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Bulk
商标: Central Semiconductor
集电极连续电流: 750 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min: -
Pd-功率耗散: 625 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
零件号别名: 2N5822 PBFREE
单位重量: 206 mg
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