型号: 2N5859
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
制造商: Central Semiconductor
制造商: Central Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-39-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 40 V
集电极—基极电压 VCBO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 0.7 V
增益带宽产品fT: 250 MHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
系列: 2N5859
直流电流增益 hFE 最大值: 120
封装: Bulk
商标: Central Semiconductor
集电极连续电流: 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 15
Pd-功率耗散: 5 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
零件号别名: 2N5859 PBFREE
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