型号: 2N5953
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Ch FET 30Vgs Engineering Hold
制造商: Central Semiconductor
制造商: Central Semiconductor
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 否
晶体管类型: JFET
技术: Si
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Id-连续漏极电流: 5 mA
最大漏极/栅极电压: 30 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 360 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
封装: Bulk
配置: Single
系列: 2N5952
商标: Central Semiconductor
NF—噪声系数: 5 dB
产品类型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻: 375 Ohms
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
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