型号:  2N5963

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30Vcbo 30Vceo 7.0Vebo 50mA 625mW

制造商:  Central Semiconductor

制造商:  Central Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-92-3

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  30 V

集电极—基极电压 VCBO:  30 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  7 V

集电极—射极饱和电压:  0.2 V

增益带宽产品fT:  150 MHz

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  2N5961

封装:  Bulk

商标:  Central Semiconductor

集电极连续电流:  50 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:  900 at 10 uA, 5 V

Pd-功率耗散:  625 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  2500

子类别:  Transistors

零件号别名:  2N5963 PBFREE

单位重量:  206 mg