型号: 2N6031
功能描述: POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
制造商: ON Semiconductor
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性: PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO: 140 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V
最大直流电集电极电流: 16 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 15
配置: Single
最大工作频率: 1 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-204-2 (TO-3)
封装: Tray
集电极连续电流: 16 A
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 200 W
工厂包装数量: 100
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