型号: 2N6052
功能描述: 达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington
制造商: Central Semiconductor
制造商: Central Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 是
配置: Single
晶体管极性: PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
最大直流电集电极电流: 12 A
Pd-功率耗散: 150 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
系列: 2N6052
封装: Tube
高度: 11.43 mm
长度: 39.36 mm
工作温度范围: - 65 C to + 200 C
宽度: 26.67 mm
商标: Central Semiconductor
集电极连续电流: 12 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 750
产品类型: Darlington Transistors
工厂包装数量: 20
子类别: Transistors
零件号别名: 2N6052 PBFREE
单位重量: 6.401 g
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